Fotodioden

InGaAs-Fotodioden

Die Produktion von LEDs im Harzformgehäuse wird eingestellt. Weitere Informationen finden Sie im PDF.
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Produktname
Form
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Produktname
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Empfindliche Wellenlänge
Bandbreite
Kurzschlussstrom
Reaktionsfähigkeit
Paket
[mm]
Min.[nm]
Max.[nm]
Typ.
Bedingungen
Typ.[µA]
Bedingungen
Typ.[A/W]
Bedingungen
 
   
 
 
 
KPDEH16LC
KP-H InGaAs-Fotodiode
φ0,04
900
1700
32 GHz
V R =2V,λ=1310nm, R L =50Ω,
P in =0dBm,Kleinsignalmodulation
-
-
0.7
V R =2V,λ=1310nm, P in =0dBm
CHIP
KPDEH16L-CC1D
KP-H InGaAs-Fotodiode
φ0,04
900
1700
35 GHz
RL=50W
λ=1550nm
Pin=0dBm
Small signal modulation
-
-
0.7
0.6
λ=1310nm VR=2V
λ=1550nm VR=2V
CoC
KPDE008LS-A-RA-HQ
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,08
900
1700
2,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE030S-A
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,3
900
1700
0,6 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE020S-A
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,2
900
1700
1,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE008S-D
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,08
900
1700
2,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE008S-A
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,08
900
1700
2,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDB086S-H8
InGaAs-Fotodioden
0,86x0,86
800
1700
50 MHz
RL=50Ω
VR=2V
-
-
0.45
1.1
λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE300-H53
InGaAs-Fotodioden
φ3
900
1700
-
-
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE150-H45
InGaAs-Fotodioden
φ1,5
900
1700
-
-
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm V R =1V
λ=1550nm V R =1V
ZU-DOSE
KPDE086S-H8
InGaAs-Fotodioden
0,86x0,86
900
1700
30 MHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE0301M51
InGaAs-Fotodioden
φ0,3
900
1700
-
-
-
-
0.9
λ=1550nm
SCHIMMEL
KPEIMC-UDCOM
KP-E Edge Illuminated InGaAs-Fotodioden
0,1x0,12
900
1700
1,5 GHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.55
0.75
λ=1310nm P i =-10dBm V R =5V
λ=1550nm P i =-10dBm V R =5V
CHIP
KPEIMC-100
KP-E Edge Illuminated InGaAs-Fotodioden
0,1x0,08
900
1700
1,5 GHz
Pi=-10dBm
VR=5V
-
-
0.7
0.8
λ=1310nm P i =-10dBm V R =5V
λ=1550nm P i =-10dBm V R =5V
CHIP
KPDE030SL-H8
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,3
900
1700
600 MHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE030SA-TU
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,3
900
1700
600 MHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZOPF
KPDE030-S
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,3
900
1700
0,6 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE030-H8
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,3
900
1700
600 MHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE020-S
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
Φ0,2
900
1700
1,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE020-H8
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
Φ0,2
900
1700
1,0 GHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.9
1.0
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE008S-TU
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,08
900
1700
2,0 GHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.85
0.98
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZOPF
KPDE008-S
KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung
φ0,08
900
1700
2,0 GHz
RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
-
-
0.8
0.9
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
ZU-DOSE
KPDE10GC-V2
KP-R InGaAs-Fotodioden für Empfänger
φ0,028
900
1700
14 GHz
Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
-
-
0.80
0.85
λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
CHIP

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