InGaAs-Fotodioden

KPDB086S-H8

  • Produktname
    KPDB086S-H8
  • Eigenschaften
    • 0,86 mm² große empfindliche Fläche
    • 低暗電流
    • Niederspannungsbetrieb
  • Anwendungen
    • Nahinfrarotsensoren
    • Laserdioden- und LED-Leistungsmonitore
    • 近赤外線分光分析
    • Leistungsmesser
KPDB086S-H8

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] 0.86x0.86
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 800
Max.[nm] 1700
Bandbreite Typ. 50 MHz
Bedingungen RL=50Ω
VR=2V
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.45
1.1
Bedingungen λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
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