InGaAs-Fotodioden

KPDE086S-H8

  • Produktname
    KPDE086S-H8
  • Eigenschaften
    • 大受光面積 (0.86mm sq.)
    • 低暗電流
    • Niederspannungsbetrieb
  • Anwendungen
    • Nahinfrarotsensoren
    • Laserdioden- und LED-Leistungsmonitore
    • 近赤外線分光分析
    • Leistungsmesser
KPDE086S-H8

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] 0.86x0.86
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
Bandbreite Typ. 30 MHz
Bedingungen Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.9
1.0
Bedingungen λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
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