KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung

KPDE008LS-A-RA-HQ

  • Produktname
    KPDE008LS-A-RA-HQ
  • Eigenschaften
    • Kleine Größe für hochdichte Verpackungen
    • Geringe Kapazität und hohe Geschwindigkeit mit einer PIN-Struktur
    • Niedriger Dunkelstrom
    • 高信頼性
    • Unterstützt ein breites Wellenlängenband (O-, E-, S-, C-, L-Band)
    • Durchgeführte Merkmalsprüfung bei hoher Temperatur
  • Anwendungen
    • Lichtüberwachung
KPDE008LS-A-RA-HQ

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] φ0,08
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
Bandbreite Typ. 2,0 GHz
Bedingungen RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.8
0.9
Bedingungen λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
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