KP-M InGaAs-Fotodioden zur Überwachung

KPDE030-H8

  • Produktname
    KPDE030-H8
  • Eigenschaften
    • Große aktive Fläche, praktisch für optische Kopplung
    • 低暗電流
    • Reagieren Sie auf 1310, C-Band und L-Band
    • 高信頼性
  • Anwendungen
    • Nahinfrarotsensoren
    • Laserdioden- und LED-Leistungsmonitore
    • 近赤外線分光分析
    • Optische Messung und Sensorik
KPDE030-H8

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] φ0,3
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
Bandbreite Typ. 600 MHz
Bedingungen Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.9
1.0
Bedingungen λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
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