Siフォトダイオード

KPID050M-H8

  • 型番
    KPID050M-H8
  • 特徴
    • 受光径200µmで2GHzの高速応答性
    • 受光径500µmで0.4GHzを実現
    • 低暗電流
    • 低電圧駆動
    • 多様なパッケージに対応
  • 用途
    • 短波長光通信
    • 光計測
    • 光センサ
KPID050M-H8

仕様

受光サイズ [mm] φ0.5
検出波長 Min.[nm] 400
Max.[nm] 1000
帯域幅 Typ. -
条件 -
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.35
条件 λ=850nm VR=0V
パッケージ TO-CAN

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光半導体

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