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KP-M モニタ用InGaAsフォトダイオード
KPDE030-H8
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- 型番
- KPDE030-H8
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- 特徴
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- 大受光面積 (φ300µm)
- 低暗電流
- Cバンド、1310nm、Lバンドに対応
- 高信頼性
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- 用途
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- 近赤外線センサ
- LD / LED パワーモニタ
- 近赤外線分光分析
- 光計測 / センシング
仕様
受光サイズ | [mm] | φ0.3 |
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検出波長 | Min.[nm] | 900 |
Max.[nm] | 1700 | |
帯域幅 | Typ. | 600MHz |
条件 | Pi=-10dBm VR=5V Small signal modulation |
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短絡電流 | Typ.[µA] | - |
条件 | - | |
受光感度 | Typ.[A/W] | 0.9 1.0 |
条件 | λ=1310nm VR=5V λ=1550nm VR=5V |
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パッケージ | TO-CAN |
製品情報
光半導体