スパッタリングターゲット

光学デバイス用スパッタリングターゲット

高生産性、高信頼性を実現した光学膜用ターゲット。

  • 型番
    炭化ケイ素系(SixC)ターゲット
  • 特長
    • バッキングプレートとの高いボンディング率により、安定した冷却効率を実現。
    • 反応性スパッタで使用した場合、Siターゲットと比べてアーキングや割れの発生を大幅に低減。ライフエンドまで安定して使用可能。

製品一覧表

仕様

型番 炭化ケイ素系(SixC)ターゲット
純度（%） ≧99
比抵抗（Ω・㎝） ≦0.1

使用例

SiO2成膜専用SixCターゲット

特性・試験データ

SixCターゲットで成膜したSiO2膜の屈折率

sixc_graph_1.png

ご参考：SixCターゲットの成膜レート（ULVACヘリコンスパッタ装置）

sixc_graph_01.png

<SixCターゲットとSiターゲットの使用後の外観比較>


ターゲットサイズ：127mm X 686mm X 6mmt

SixC_hikaku.jpg

ご注意

この特性データは、当社の実施した評価結果に基づくものですが、お客さまのご使用時の製品特性を保証するものではありません。ご使用の際は、実際に使用される装置および被着材での評価結果に基づき、使用条件を十分ご検討の上、ご使用いただきますようお願いいたします。

製品一覧表

製品情報

光半導体

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