Siフォトダイオード

KPID020DS-S

  • 型番
    KPID020DS-S
  • 特徴
    • 複数チャンネルPDに最適な高密度パッケージ
    • キャップ絶縁型2ピンミニキャン(φ1.96mm)
    • 省スペース（キャップ寸法 φ1.96mm x 3.35mm）
    • 低暗電流 (Typ. 15pA @VR=10V)
    • 広い検出波長(400-1000nm)
  • 用途
    • デジタル/アナログ極短距離(VSR)光通信
    • 光LAN
    • OE変換器
KPID020DS-S

仕様

受光サイズ [mm] φ0.2
検出波長 Min.[nm] 400
Max.[nm] 1000
帯域幅 Typ. 2.0GHz
条件 RL=50Ω VR=2V
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.3
条件 λ=850nm VR=10V
パッケージ TO-CAN

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光半導体

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