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KP-E 端面入射型InGaAsフォトダイオード
KPEIMC-UDCOM
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- 型番
- KPEIMC-UDCOM
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- 特徴
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- 端面入射型
- 広い入射エリア (100x120µm)
- 低暗電流
- 高信頼性
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- 用途
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- レーザーモニタ
- 光インターコネクション
- FTTHデジタル光通信
仕様
受光サイズ | [mm] | □0.1x0.12 |
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検出波長 | Min.[nm] | 900 |
Max.[nm] | 1700 | |
帯域幅 | Typ. | 1.5GHz |
条件 | Pi=-10dBm VR=5V Small signal modulation |
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短絡電流 | Typ.[µA] | - |
条件 | - | |
受光感度 | Typ.[A/W] | 0.55 0.75 |
条件 | λ=1310nm Pi=-10dBm VR=5V λ=1550nm Pi=-10dBm VR=5V |
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パッケージ | CHIP |
製品情報
光半導体