KP-E 端面入射型InGaAsフォトダイオード

KPEIMC-100

  • 型番
    KPEIMC-100
  • 特徴
    • 表面実装向け端面入射型
    • 低暗電流
    • 高信頼性
  • 用途
    • レーザーダイオードのバックサイドモニタ
    • FTTHデジタル光通信
    • 光配線
KPEIMC-100

仕様

受光サイズ [mm] 0.1x0.08
検出波長 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
帯域幅 Typ. 1.5GHz
条件 Pi=-10dBm
VR=5V
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.7
0.8
条件 λ=1310nm Pi=-10dBm VR=5V
λ=1550nm Pi=-10dBm VR=5V
パッケージ CHIP

パラメトリック検索

製品情報

光半導体

よくあるご質問
（製品）

製品に関する
お問い合わせ