InGaAsフォトダイオード

KPDB086S-H8

  • 型番
    KPDB086S-H8
  • 特徴
    • 大受光面積 0.86mm sq.
    • 低暗電流
    • 低電圧駆動
  • 用途
    • 近赤外線センサ
    • LD / LED パワーモニタ
    • 近赤外線分光分析
    • パワーメータ
KPDB086S-H8

仕様

受光サイズ [mm] □0.86x0.86
検出波長 Min.[nm] 800
Max.[nm] 1700
帯域幅 Typ. 50MHz
条件 RL=50Ω
VR=2V
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.45
1.1
条件 λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
パッケージ TO-CAN

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光半導体

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