KP-A InGaAsアバランシェフォトダイオード

KPDEA007-56F

  • 型番
    KPDEA007-56F
  • 概要
    InGaAs アバランシェフォトダイオード ウィンドウ付き φ5.6mm キャンパッケージ
  • 特徴
    • ハイスピード（1.25Gpbsまで）
    • 低暗電流
    • 高感度
  • 用途
    • SONET
    • GE-PON
KPDEA007-56F

仕様

受光サイズ Typ.[µm] φ75
検出波長 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
遮断周波数 Typ.[GHz] 2
条件 M=10
受光感度 Typ.[A/W] 0.90
1.05
条件 M=1 　λ=1310nm
M=1 　λ=1550nm
パッケージ TO-CAN

パラメトリック検索

製品情報

光半導体

よくあるご質問
（製品）

製品に関する
お問い合わせ