KP-2　二波長フォトダイオード

KPMC29

波長域を広げるため短い波長に感度を有するSiの受光素子と、長い波長に感度を有するInGaAsの受光素子を同一光軸上に積層しました。 小型化を達成するため、KP-2 二波長フォトダイオードKPMC29はSiの受光素子の基板側に設けた凹状の窪みにInGaAsの受光素子を収納することでパッケージの高さを極限まで低くすることが可能になりました。(特許取得済み、特許第6711985号) これにより当社従来品に比べ、体積比で1/8まで小型化を実現しています。

  • 型番
    KPMC29
  • 概要
    • 幅広い受光波長域（λ=400～1700nm）
    • 同一光軸下での光学設計が可能
    • 小型・低背のトランスファーモールドパッケージでリフロー半田 実装対応
  • 特徴
    • 同一光軸上にSiとInGaAsのフォトダイオードがハイブリッド集積 されています。
    • 幅広い波長域に感度を有します。
    • 低暗電流型製品です。
  • 用途
    • 分光光度計
    • 放射温度計
    • 医療機器
    • ヘルスケア機器
    • 光ファイバ試験機器（FOTE）
KPMC29

仕様

受光サイズ [mm] Si □2.2 x 2.2
InGaAs □0.86 x 0.86
検出波長 Min.[nm] 400
900
Max.[nm] 1000
1700
帯域幅 Typ. -
条件 -
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.6
0.9
条件 λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=0V
パッケージ SMD

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光半導体

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