Zweifarbige Fotodiode

KPMC29

Um den Wellenlängenbereich zu erweitern, sind die kurzwellige Si-Fotodiode und die langwellige InGaAs-Fotodiode auf derselben Achse angeordnet. Um das Gerät kompakter zu gestalten, wurde die InGaAs-Fotodiode in der Vertiefung des Si-Fotodiodensubstrats untergebracht. Dadurch konnte die Gehäusehöhe so gering wie möglich gehalten werden. (US-Patent: Nr. 11.145.773) Im Vergleich zu unseren Vorgängermodellen wurde das Volumenverhältnis auf 1/8 reduziert.

  • Produktname
    KPMC29
  • Merkmale
    • Großer empfindlicher Wellenlängenbereich (λ=400–1700 nm)
    • Optisches Design unter der gleichen optischen Achse möglich
    • Kleines und dünnes Transferform-Gehäuse, kompatibel mit Reflow-Löten
  • Eigenschaften
    • Integrierte Si- und InGaAs-Fotodiode
    • Breiter empfindlicher Wellenlängenbereich
    • Niedriger Dunkelstrom
  • Anwendungen
    • Spektrophotometer
    • Strahlungsthermometer
    • Medizinische Geräte
    • Medizinische Geräte
    • Glasfaser-Testgeräte
KPMC29

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] Si 2.2 x 2.2
InGaAs 0.86 x 0.86
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 400
900
Max.[nm] 1000
1700
Bandbreite Typ. -
Bedingungen -
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.6
0.9
Bedingungen λ=850nm V R =0V
λ=1550nm V R =0V
Paket SMD

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