Avalanche-Photodioden

KP-A Si Avalanche-Fotodiode

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Auswahl	Produktname	Form	Technisches Datenblatt	Produktname	Empfindliche Größe	Empfindliche Wellenlänge		Grenzfrequenz		Reaktionsfähigkeit		Paket
Auswahl	Produktname	Form	Technisches Datenblatt	Produktname	Typ.[µm]	Min.[nm]	Max.[nm]	Typ.[GHz]	Bedingungen	Typ.[A/W]	Bedingungen	Paket
				KP-A Si-Lawinenphotodiode	φ200 φ500 φ1000	400	1000	0.6 1.2 1.3		0.45		ZU-DOSE

	KPDA100P-H8			KP-A Si Avalanche-Fotodioden	φ1000	400	1000	0.6	M=100 R _L =50Ω λ=850nm	0.45	M=1 λ=850nm	ZU-DOSE
	KPDA050P-H8			KP-A Si Avalanche-Fotodioden	φ500	400	1000	1.2	M=100 R _L =50Ω λ=850nm	0.45	M=1 λ=850nm	ZU-DOSE
	KPDA020P-H8			KP-A Si Avalanche-Fotodioden	φ200	400	1000	1.3	M=100 R _L =50Ω λ=850nm	0.45	M=1 λ=850nm	ZU-DOSE

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