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Avalanche-Photodioden
KP-A InGaAs Lawinenphotodiode
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Auswahl |
Produktname |
Form |
Technisches Datenblatt |
Produktname |
Empfindliche Größe |
Empfindliche Wellenlänge |
Grenzfrequenz |
Reaktionsfähigkeit |
Paket |
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Typ.[µm] |
Min.[nm] |
Max.[nm] |
Typ.[GHz] |
Bedingungen |
Typ.[A/W] |
Bedingungen |
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 | KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden | φ75 | 900 | 1700 | 2 | M=10 | 0.90 1.05 | M=1 λ=1310nm M=1 λ=1550nm | ZU-DOSE | |||
 | KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden | φ55 | 900 | 1700 | 3 | M=10 | 0.95 1.05 | M=1 λ=1310nm M=1 λ=1550nm | ZU-DOSE | |||
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