Avalanche-Photodioden

KP-A InGaAs Lawinenphotodiode

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Max.[nm]
Typ.[GHz]
Bedingungen
Typ.[A/W]
Bedingungen
 
   
 
 
KPDEA007-56F
KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden
φ75
900
1700
2
M=10
0.90
1.05
M=1 λ=1310nm
M=1 λ=1550nm
ZU-DOSE
KPDEA005-56F
KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden
φ55
900
1700
3
M=10
0.95
1.05
M=1 λ=1310nm
M=1 λ=1550nm
ZU-DOSE

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