Über uns
Produkte
- Heim
- Produkte
- Avalanche-Photodioden
- KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden
KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden
KPDEA005-56F
-
- Produktname
- KPDEA005-56F
-
- Merkmale
- InGaAs-Lawinenfotodiode, φ5,6 mm, CAN-Gehäuse mit flacher Fensterkappe
-
- Eigenschaften
-
- Hohe Geschwindigkeit (bis zu 2,5 Gbit/s)
- 低暗電流
- 高感度
-
- Anwendungen
-
- SONET
- G-PON, GE-PON
Technische Daten
Empfindliche Größe | Typ.[µm] | φ55 |
---|---|---|
Empfindliche Wellenlänge | Min.[nm] | 900 |
Max.[nm] | 1700 | |
Grenzfrequenz | Typ.[GHz] | 3 |
Bedingungen | M=10 | |
Reaktionsfähigkeit | Typ.[A/W] | 0.95 1.05 |
Bedingungen | M=1 λ=1310nm M=1 λ=1550nm |
|
Paket | ZU-DOSE |
Produkte
- Anisotroper leitfähiger Film (ACF)
- Reflexionsschutzfolien
- Optische elastische Kunststoffe (SVR)
- Klebstoffe
- Oberflächenmontierte Sicherungen
- Wärmeleitfolien
- Augenschutzmaterial für medizinische
- Doppelseitig beschichtete Bänder
- Einseitig beschichtete Klebebänder
- Optische Geräte
- UV-härtbares Harz für optische Datenträger
- Sputtertargets
Optische Halbleiter