KP-A InGaAs Avalanche-Fotodioden

KPDEA005-56F

  • Produktname
    KPDEA005-56F
  • Merkmale
    InGaAs-Lawinenfotodiode, φ5,6 mm, CAN-Gehäuse mit flacher Fensterkappe
  • Eigenschaften
    • Hohe Geschwindigkeit (bis zu 2,5 Gbit/s)
    • 低暗電流
    • 高感度
  • Anwendungen
    • SONET
    • G-PON, GE-PON
KPDEA005-56F

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Technische Daten

Empfindliche Größe Typ.[µm] φ55
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
Grenzfrequenz Typ.[GHz] 3
Bedingungen M=10
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.95
1.05
Bedingungen M=1 λ=1310nm
M=1 λ=1550nm
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