關於我們
產品
濺射
光碟介質濺鍍靶材
用於形成光盤介質各功能層的各種靶材。
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- 產品名稱
- 氧化物靶材
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- 特徵
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- 作為相變光碟等磁光記錄材料的供應商，我們多年來積累了豐富的專業知識和良好的業績記錄，我們獨特的熱壓技術使我們能夠製造出均質、高密度的靶材。
- 直流濺鍍可達到 NbOx 靶材的高濺鍍速率（比反應濺鍍高約 2.5 倍）和 TiO2靶材的高濺射速率（比反應濺鍍高約兩倍）。
- 與背板的高結合率保證了穩定的冷卻效率。
規格
| 產品名稱 | 氧化物靶材 | |
|---|---|---|
| 材料 | 缺氧五氧化二鈮（Nb2O5）靶材 | 缺氧二氧化鈦（TiO2）靶材 |
| 電阻率（Ω・cm） | <0.01 *可進行直流濺射 | <0.1 *可進行直流濺射 |
| 密度比（%） | 99≦ | 99≦ |
| 尺寸（毫米） | φ149/φ200 | φ149/φ200 |
阻隔膜、介電膜
1. 缺氧五氧化二鈮（Nb2O5）靶材沉積速率測試
測試條件
濺鍍電源：DC 5.1W/cm 2
目標尺寸：φ50mm
頂/底距離：80mm
製程氣體：Ar+ O2 =100sccm
氣體壓力：0.24Pa
電路板：B270（肖特）
極限真空壓力：~10-5 Pa
結果
2. 缺氧五氧化二鈮（Nb2O5）靶材沉積速率測試
測試條件
濺鍍電源：DC 5.1W/cm 2
目標尺寸：φ50mm
頂/底距離：80mm
製程氣體：Ar+ O2 =100sccm
氣體壓力：0.24Pa
電路板：B270（肖特）
極限真空壓力：~10-5 Pa
結果
- *氧分壓為 1.5% 或更高時折射率 n=2.3 或更高（550 nm 處）
- *氧分壓為3.0%以上時，消光係數k≦ 5x10-3以下
3. 缺氧型二氧化鈦（TiO2）標靶材的成膜速率測試
測試條件
濺鍍電源：DC 5.1W/cm 2
目標尺寸：φ50mm
頂/底距離：80mm
製程氣體：Ar+ O2 =100sccm
氣體壓力：0.24Pa
電路板：B270（肖特）
極限真空壓力：~10-5 Pa
結果
4. 缺氧型二氧化鈦（TiO2）靶材的氧分壓依賴性測試
試件狀況
濺鍍電源：DC 5.1W/cm 2
目標尺寸：φ50mm
頂/底距離：80mm
製程氣體：Ar+ O2 =100sccm
氣體壓力：0.24Pa
電路板：B270（肖特）
極限真空壓力：~10-5 Pa
結果
- *氧分壓為 1.5% 或更高時折射率 n=2.3 或更高（550 nm 處）
- *氧分壓為3.0%以上時，消光係數k≦ 5x10-3以下
警告
關於特性資料的說明 - 本頁所述產品特性資料是基於本公司的評估結果。這並不保證產品特性符合您的使用環境。使用前，請根據實際使用的設備和基材的評估數據，確認使用條件。
