雪崩光電二極體

雪崩光電二極體是透過施加反向偏壓來使光電子倍增的半導體元件。
透過進行增倍，可從光電二極體獲得較大的光電流。適用於偵測微弱光等。本公司亦可提供能施加較高反向偏壓的APD模組

雪崩光電二極體 產品一覽

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KP-A InGaAs雪崩光電二極體

型號 規格書 光接收尺寸 檢測波長 截止頻率 感光性 封裝
Typ. [µm] MIN [nm] MAX [nm] Typ. [GHz] Typ. [A/W]
KPDEA007-56F

DL

 φ75 900 1700 2 0.90
1.05		 TO-CAN
KPDEA005-56F

DL

 φ55 900 1700 3 0.90
1.05		 TO-CAN

KP-A Si雪崩光電二極體

型號 規格書 光接收尺寸 檢測波長 截止頻率 感光性 封裝
Typ. [µm] MIN [nm] MAX [nm] Typ. [GHz] Typ. [A/W]
KPDA100P-H8

DL

 400 400 1000 0.6 0.45 TO-CAN
KPDA050P-H8

DL

 400 400 1000 1.2 0.45 TO-CAN
KPDA020P-H8

DL

 400 400 1000 1.3 0.45 TO-CAN