Thermoelektrisch gekühlte InGaAs-Fotodioden

KPDE086S-H85P

  • Produktname
    KPDE086S-H85P
  • Eigenschaften
    • 860µm² große sensitive Fläche
    • 低暗電流
    • Hohe Shunt-Festigkeit
    • Elektrisch gekühlt mit TEC und Thermistor
    • Kleine Größe (TO-46-Gehäuse)
  • Anwendungen
    • Nahinfrarotsensoren
    • Nahinfrarotspektroskopie
    • Leistungsmesser
KPDE086S-H85P

Technische Daten

Empfindliche Größe [mm] 0.86x0.86
Empfindliche Wellenlänge Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
Bandbreite Typ. -
Bedingungen -
Kurzschlussstrom Typ.[µA] -
Bedingungen -
Reaktionsfähigkeit Typ.[A/W] 0.9
1.0
Bedingungen λ=1310nm
λ=1550nm
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