Sputtern

Sputtertargets für optische Geräte

Optische Filmtargets, die eine hohe Produktivität und Zuverlässigkeit erreichen.

  • Produktname
    Siliziumkarbid (SixC)-Target
  • Merkmale
    • Eine hohe Verbindungsrate mit der Trägerplatte sorgt für eine stabile Kühlleistung.
    • Beim Einsatz beim reaktiven Sputtern werden Lichtbogenbildung und Rissbildung im Vergleich zu Si-Targets deutlich reduziert, was eine stabile Nutzung bis zum Ende der Lebensdauer gewährleistet.

Produktpalette

Technische Daten

Produktname Siliziumkarbid (SixC)-Target
Reinheit(%) ≧99
Spezifischer Widerstand (Ω・cm) ≦0.1

Anwendungsbeispiel

SixC-Target für die SiO2-Filmabscheidung

Technische Daten

Brechungsindex des mit SixC-Target abgeschiedenen SiO2-Films

sixc_graph_1.png

Referenz: Filmbildungsrate des SixC-Targets (ULVAC-Helicon-Sputteranlage)

sixc_graph_01.png

<Vergleich des Aussehens nach Verwendung von SixC-Target und Si-Target>


Zielgröße: 127 mm x 686 mm x 6 mm

SixC_hikaku.jpg

Vorsicht

Hinweis zu den angegebenen Kenndaten: Die Angaben zu den Eigenschaften der hier beschriebenen Produkte basieren auf den Ergebnissen der vom Unternehmen durchgeführten Bewertungen. Dies garantiert nicht, dass die Produkteigenschaften mit Ihrer Einsatzumgebung übereinstimmen. Überprüfen Sie vor der Verwendung die Einsatzbedingungen anhand der Bewertungsdaten der tatsächlich verwendeten Geräte und Substrate.

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