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Fototransistoren
Si-Fototransistoren
Die Produktion von LEDs im Harzformgehäuse wird eingestellt. Weitere Informationen finden Sie im PDF.
Hinweis zur Einstellung des LED-Harzformpakets
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Auswahl |
Produktname |
Form |
Technisches Datenblatt |
Produktname |
Empfindliche Größe |
Empfindliche Wellenlänge |
Fotostrom |
Stromverstärkungsfaktor |
Halber Winkel |
Paket |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Typ.[mm2] |
Min.[nm] |
Max.[nm] |
Typ.[mA] |
Bedingungen |
Typ. |
Bedingungen |
Typ. |
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 | Si-Fototransistoren | 0.64×0.64 | - | 1000 | 2 | VCE = 5 V 100 lx (@ 2856 K) | 600 | VCE = 5 V IC = 2 mA | 17 | ZU-DOSE | |||
 | Si-Fototransistoren | 0.64×0.64 | 400 | 1000 | 7 | VCE = 5 V 100 lx (@ 2856 K) | 600 | VCE = 5 V IC = 2 mA | 60 | SCHIMMEL | |||
 | Si-Fototransistoren | 0.64×0.64 | 700 | 1100 | 2 | VCE = 5 V 100 lx (@ 2856 K) | 400 | VCE = 5 V IC = 2 mA | 17 | ZU-DOSE | |||
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Optische Halbleiter
