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溅射
光盘介质溅射靶材
用于形成光盘介质各功能层的各种靶材。
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- 型号
- 氧化物靶材
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- 产品特性
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- 作为相变光盘等磁光记录材料的供应商，我们多年来积累了丰富的专业知识和良好的业绩记录，我们独特的热压技术使我们能够制造出均质、高密度的靶材。
- 直流溅射可实现 NbOx 靶材的高溅射速率（比反应溅射高约 2.5 倍）和 TiO2靶材的高溅射速率（比反应溅射高约两倍）。
- 与背板的高结合率保证了稳定的冷却效率。
规格
| 型号 | 氧化物靶材 | |
|---|---|---|
| 材质 | 缺氧五氧化二铌（Nb2O5）靶材 | 缺氧二氧化钛（TiO2）靶材 |
| 电阻率（Ω・cm） | <0.01 *可进行直流溅射 | <0.1 *可进行直流溅射 |
| 密度比（%） | 99≦ | 99≦ |
| 尺寸(mm) | φ149/φ200 | φ149/φ200 |
阻隔膜、介电膜
1. 缺氧五氧化二铌（Nb2O5）靶材沉积速率测试
试验条件
溅射电源：DC 5.1W/cm 2
目标尺寸：φ50mm
顶/底距离：80mm
工艺气体：Ar+ O2 =100sccm
气体压力：0.24Pa
电路板：B270（肖特）
极限真空压力：~10-5 Pa
试验结果
2. 缺氧五氧化二铌（Nb2O5）靶材沉积速率测试
试验条件
溅射电源：DC 5.1W/cm 2
目标尺寸：φ50mm
顶/底距离：80mm
工艺气体：Ar+ O2 =100sccm
气体压力：0.24Pa
电路板：B270（肖特）
极限真空压力：~10-5 Pa
试验结果
- *氧分压为 1.5% 或更高时折射率 n=2.3 或更高（550 nm 处）
- *氧分压为3.0%以上时，消光系数k≦ 5x10-3以下
3. 缺氧型二氧化钛（TiO2）靶材的成膜速率测试
试验条件
溅射电源：DC 5.1W/cm 2
目标尺寸：φ50mm
顶/底距离：80mm
工艺气体：Ar+ O2 =100sccm
气体压力：0.24Pa
电路板：B270（肖特）
极限真空压力：~10-5 Pa
试验结果
4. 缺氧型二氧化钛（TiO2）靶材的氧分压依赖性测试
试料制作条件
溅射电源：DC 5.1W/cm 2
目标尺寸：φ50mm
顶/底距离：80mm
工艺气体：Ar+ O2 =100sccm
气体压力：0.24Pa
电路板：B270（肖特）
极限真空压力：~10-5 Pa
试验结果
- *氧分压为 1.5% 或更高时折射率 n=2.3 或更高（550 nm 处）
- *氧分压为3.0%以上时，消光系数k≦ 5x10-3以下
注意
该特性数据是基于本公司的评价结果得出的，不能作为客户使用时的产品特性保证。使用时，请根据实际使用装置及被贴材料上的评价结果，在充分研究使用条件的基础上使用。
