InGaAs光电二极管(带半导体电子制冷片)

KPDE086S-H85P

  • 型号
    KPDE086S-H85P
  • 特点
    • 光接收面积大: 860µm sq.
    • 低暗电流、高分流电阻
    • 配备电子制冷片和热敏电阻
    • 小型封装(TO46)
  • 应用
    • 近红外传感器
    • 近红外光谱分析
    • 光功率测量仪
KPDE086S-H85P

仕様

光接收尺寸 [mm] □0.86x0.86
检测波长 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
带宽 Typ. -
条件 -
短路电流 Typ.[µA] -
条件 -
响应率 Typ.[A/W] 0.9
1.0
条件 λ=1310nm
λ=1550nm
封装 TO-CAN