KP-M 监测器用InGaAs光电二极管

KPDE008LS-A-RA-HQ

  • 型号
    KPDE008LS-A-RA-HQ
  • 特点
    • Small size for high density packaging
    • Low capacitance and high speed with a PIN structure
    • Low dark current
    • High reliability
    • Supports a wide wavelength band (O-, E-, S-, C-, L-Band)
    • Conducted characteristic inspection at high temperature
  • 应用
    • 光监测
KPDE008LS-A-RA-HQ

仕様

光接收尺寸 [mm] φ0.08
检测波长 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
带宽 Typ. 2.0GHz
条件 RL=50Ω Pi=-10dBm VR=5V
短路电流 Typ.[µA] -
条件 -
响应率 Typ.[A/W] 0.8
0.9
条件 λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
封装 TO-CAN

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光半导体

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