포토 다이오드
Si 포토다이오드
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선택 |
품번 |
형상 |
Datasheet |
제품명 |
수광 크기 |
검출 파장 |
대역폭 |
단락 전류 |
수광 감도 |
패키지 |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
[mm] |
Min.[nm] |
Max.[nm] |
Typ. |
조건 |
Typ.[µA] |
조건 |
Typ.[A/W] |
조건 |
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Si 포토다이오드 | φ0.2 | 400 | 1000 | 2.0GHz | R L = 50Ω V R = 2V | - | - | 0.3 | λ=850nm V R =10V | TO-CAN | ||||
Si 포토다이오드 | φ0.5 | 400 | 1000 | - | - | - | - | 0.35 | λ=850nm V R =0V | TO-CAN | ||||
Si 포토다이오드 | Φ0.2 | 400 | 1000 | - | - | - | - | 0.35 | λ=850nm V R =0V | TO-CAN | ||||
제품정보
광 반도체
