Si 포토다이오드

KPID050M-H8

  • 품번
    KPID050M-H8
  • 특징
    • 수광 직경 200µm에서 2GHz 고속의 응답성
    • 수광 직경 500µm에서 0.4GHz를 실현
    • 低暗電流
    • 저전력 구동
    • 다양한 패키지 대응
  • 용도
    • 단파장 광통신
    • 광측정
    • 광센서
KPID050M-H8

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사양

수광 크기 [mm] φ0.5
검출 파장 Min.[nm] 400
Max.[nm] 1000
대역폭 Typ. -
조건 -
단락 전류 Typ.[µA] -
조건 -
수광 감도 Typ.[A/W] 0.35
조건 λ=850nm V R =0V
패키지 TO-CAN

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광 반도체

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