전자 냉각 장치가 부착된 InGaAs 포토다이오드

KPDE086S-H85P

  • 품번
    KPDE086S-H85P
  • 특징
    • 큰 수광 면적:860µm sq.
    • 저 암전류
    • 높은 션트 저항
    • 전자 냉각(TEC) 및 서미스터를 탑재
    • 소형 패키지(TO-46)
  • 용도
    • 근적외선 센서
    • 근적외선 분광 분석
    • 파워 미터
KPDE086S-H85P

사양

수광 크기 [mm] □0.86x0.86
검출 파장 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
대역폭 Typ. -
조건 -
단락 전류 Typ.[µA] -
조건 -
수광 감도 Typ.[A/W] 0.9
1.0
조건 λ=1310nm
λ=1550nm
패키지 TO-CAN

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제품 정보

Optical Semiconductor

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