InGaAs 포토다이오드

KPDB086S-H8

  • 품번
    KPDB086S-H8
  • 특징
    • 수광 면적이 큼 0.86mm sq.
    • 저 암전류
    • 저전력 구동
  • 용도
    • 근적외선 센서
    • LD/LED 파워모니터
    • 근적외선 분광 분석
    • 파워 미터
KPDB086S-H8

사양

수광 크기 [mm] □0.86x0.86
검출 파장 Min.[nm] 800
Max.[nm] 1700
대역폭 Typ. 50MHz
조건 RL=50Ω
VR=2V
단락 전류 Typ.[µA] -
조건 -
수광 감도 Typ.[A/W] 0.45
1.1
조건 λ=850nm VR=0V
λ=1550nm VR=5V
패키지 TO-CAN

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제품 정보

Optical Semiconductor

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