KP-A InGaAs Avalanche Photodiodes(APD)

KPDEA007-56F

  • 품번
    KPDEA007-56F
  • 개요
    InGaAs Avalanche Photodiodes(APD) 창 포함 φ5.6mm 캔 패키지
  • 특징
    • 고속(최대 1.25Gbps)
    • 저 암전류
    • 고감도
  • 용도
    • SONET
    • GE-PON
KPDEA007-56F

사양

수광 크기 Typ.[µm] φ75
검출 파장 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
차단 주파수 Typ.[GHz] 2
조건 M=10
수광 감도 Typ.[A/W] 0.90
1.05
조건 M=1 λ=1310nm
M=1 λ=1550nm
패키지 TO-CAN

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제품 정보

Optical Semiconductor

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