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Avalanche Photodiodes(APD)
KP-A InGaAs avalanche 포토다이오드
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품번 |
형상 |
데이터 시트 |
제품명 |
수광 크기 |
검출 파장 |
차단 주파수 |
수광 감도 |
패키지 |
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Typ.[µm] |
Min.[nm] |
Max.[nm] |
Typ.[GHz] |
조건 |
Typ.[A/W] |
조건 |
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 | KP-A InGaAs Avalanche Photodiodes(APD) | φ75 | 900 | 1700 | 2 | M=10 | 0.90 1.05 | M=1 λ=1310nm M=1 λ=1550nm | TO-CAN | |||
 | KP-A InGaAs Avalanche Photodiodes(APD) | φ55 | 900 | 1700 | 3 | M=10 | 0.95 1.05 | M=1 λ=1310nm M=1 λ=1550nm | TO-CAN | |||
제품 정보
Optical Semiconductor
