포토 트랜지스터
Si 포토 트랜지스터
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선택 |
품번 |
형상 |
데이터 시트 |
제품명 |
수광 크기 |
검출 파장 |
광 전류
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전류 증폭율 |
반치각 |
패키지 |
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Typ. [mm2] |
Min.[nm] |
Max.[nm] |
Typ.[mA] |
조건 |
Typ. |
조건 |
Typ. |
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 | Si 포토 트랜지스터 | 0.64×0.64 | - | 1000 | 2 | VCE =5V 100lx(@2856K) | 600 | VCE = 5V IC = 2mA | 17 | TO-CAN | |||
 | Si 포토 트랜지스터 | 0.64×0.64 | 400 | 1000 | 7 | VCE =5V 100lx(@2856K) | 600 | VCE = 5V IC = 2mA | 60 | MOLD | |||
 | Si 포토 트랜지스터 | 0.64×0.64 | 700 | 1100 | 2 | VCE =5V 100lx(@2856K) | 400 | VCE = 5V IC = 2mA | 17 | TO-CAN | |||
