GaAs 포토다이오드

KPDG020C

  • 품번
    KPDG020C
  • 특징
    • 큰 수광 직경
    • 저 암전류
    • 고속
  • 용도
    • 광배선
KPDG020C

사양

수광 크기 [mm] φ0.2
검출 파장 Min.[nm] 650
Max.[nm] 880
대역폭 Typ. 1.0GHz
조건 RL=50Ω VR=2V
단락 전류 Typ.[µA] -
조건 -
수광 감도 Typ.[A/W] 0.6
조건 λ=850nm VR=2V
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제품 정보

Optical Semiconductor

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