KP-R 수신기용 InGaAs 포토다이오드

KPDE10GC-V2

  • 품번
    KPDE10GC-V2
  • 특징
    • 표면 입사형
    • 저 암전류
    • 고 신뢰성
    • 저비용
  • 용도
    • 디지털/아날로그 광통신
    • 광LAN
    • OTDR
KPDE10GC-V2

사양

수광 크기 [mm] φ0.028
검출 파장 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
대역폭 Typ. 14GHz
조건 Pi=-10dBm VR=5V
Small signal modulation
단락 전류 Typ.[µA] -
조건 -
수광 감도 Typ.[A/W] 0.80
0.85
조건 λ=1310nm VR=5V
λ=1550nm VR=5V
패키지 CHIP

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제품 정보

Optical Semiconductor

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