スパッタリングターゲット

光学デバイス用スパッタリングターゲット

高生産性、高信頼性を実現した光学膜用ターゲット。

  • 型番
    炭化ケイ素系(SixC)ターゲット
  • 特長
    • バッキングプレートとの高いボンディング率により、安定した冷却効率を実現。
    • 反応性スパッタで使用した場合、Siターゲットと比べてアーキングや割れの発生を大幅に低減。ライフエンドまで安定して使用可能。

製品一覧表

仕様

型番 炭化ケイ素系(SixC)ターゲット
純度(%) ≧99
比抵抗(Ω・㎝) ≦0.1

SiO2成膜専用SixCターゲット

SixCターゲットで成膜したSiO2膜の屈折率

sixc_graph_02.png

ご参考:SixCターゲットの成膜レート(ULVACヘリコンスパッタ装置)

sixc_graph_01.png

<SixCターゲットとSiターゲットの使用後の外観比較>


ターゲットサイズ:127mm X 686mm X 6mmt

SixC_hikaku.png

ご注意

この特性データは、当社の実施した評価結果に基づくものですが、お客さまのご使用時の製品特性を保証するものではありません。ご使用の際は、実際に使用される装置および被着材での評価結果に基づき、使用条件を十分ご検討の上、ご使用いただきますようお願いいたします。

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